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因此，源年全缺失某一特定晶面的空心晶体结构是可以实现的。因此，互联基于光电极晶面构建异质结为协同增强PEC性能提供了巨大机会。

网电(E)2D,E-2D和离子交换和退火后的F-2D的光电流密度。但是，力需当溶液中含有S2−/SO32−时，Cu2WS4的光敏腐蚀是可以避免的，因为表面吸附的S2-离子能迅速消耗光生空穴。因此，求侧在单个半导体晶体中，这些面之间的带弯曲诱导的内置电场是不同的，导致光生电子和空穴向不同面之间的空间转移。

（4）光反应活性一般来说，管理国标工作高表面能的晶面比低表面能的晶面反应活性更强。经典综述集锦：标准迈进光电催化大门，请从这十篇综述开始。

氧空位可以通过光电极在一个还原或缺氧的环境下经过后处理来实现，研制要点这种方式通常不会影响暴露的晶面。

虽然研究人员合成了具有高反应活性面的半导体，准化但采用原位制备的光电极PEC性能仍然不高，这可能是由于半导体材料与导电衬底接触不良所致。6、推动层状双氢氧化物纳米片层状双羟基化合物又称类水滑石化合物，推动是一类二维纳米材料，其化学成分为[M1-x2+Mx3+(OH)2]x+[Ax/n]n-·mH2O，其中M2+和M3+分别为二价和三价金属阳离子，Am-为层间阴离子。

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